R1RW0416DSB-2PI#D1
![کیفیت [#varpname#] کارخانه](/images/load_icon.gif){kind=icon}
سازنده:
RENESAS
توضیحات:
R1RW0416D-I - دمای وسیع R
دسته بندی:
حافظه
مشخصات
دسته بندی:
مدارهای یکپارچه (IC)
حافظه
حافظه
وضعیت محصول:
فعال
نوع نصب:
ارتفاع سطح
بسته بندی:
عمده
سری:
R1RW0416DI
رابط حافظه:
موازی
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:
12 ثانیه
بسته دستگاه تامین کننده:
44-TSOP II
نوع حافظه:
فرار
مفر:
RENESAS
اندازه حافظه:
4 مگابیت
ولتاژ - عرضه:
3V ~ 3.6V
بسته بندی / کیس:
44-TSOP (0.400، عرض 10.16 میلی‌متر)
سازمان حافظه:
256 هزار در 16
دمای کار:
-40°C ~ 85°C (TA)
تکنولوژی:
SRAM - ناهمزمان
زمان دسترسی:
12 ns
فرمت حافظه:
SRAM
مقدمه
SRAM - IC حافظه غیرمستقیم 4Mbit موازی 12 ns 44-TSOP II
محصولات مرتبط
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
R1WV6416RBG-5SI#B0 |
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
|
|
|
|
HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار: