RMLV0808BGSB-4S2#AA0
![کیفیت [#varpname#] کارخانه](/images/load_icon.gif){kind=icon}
سازنده:
Rochester Electronics, LLC
توضیحات:
R5F51305BDFP#50 - 8 مگابایت پیشرفته L
دسته بندی:
حافظه
مشخصات
دسته بندی:
مدارهای یکپارچه (IC)
حافظه
حافظه
وضعیت محصول:
فعال
نوع نصب:
ارتفاع سطح
بسته بندی:
عمده
سری:
-
رابط حافظه:
موازی
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:
45 ثانیه
بسته دستگاه تامین کننده:
44-TSOP II
نوع حافظه:
فرار
مفر:
Rochester Electronics, LLC
اندازه حافظه:
8 مگابیت
ولتاژ - عرضه:
2.7V ~ 3.6V
بسته بندی / کیس:
44-TSOP (0.400، عرض 10.16 میلی‌متر)
سازمان حافظه:
1M x 8
دمای کار:
-40°C ~ 85°C (TA)
تکنولوژی:
SRAM - ناهمزمان
زمان دسترسی:
45 ns
فرمت حافظه:
SRAM
مقدمه
SRAM - حافظه ی آسنکرون IC 8Mbit Parallel 45 ns 44-TSOP II
محصولات مرتبط
RMLV0816BGBG-4S2#AC0
RMLV0816BGB - 8Mb Advanced LPSRA
S25FL128SDPMFIG00
S25FL128S - (16-MB), 3.0 V FL-L
RMWV6416AGSA-5S2#AA0
RMWV6416AGS - 64Mb Advanced LPSR
RMLV0414EGSB-4S2#HA1
RMLV0414EGS - 4Mb Advanced LPSRA
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
RMLV0816BGBG-4S2#AC0 |
RMLV0816BGB - 8Mb Advanced LPSRA
|
|
|
|
S25FL128SDPMFIG00 |
S25FL128S - (16-MB), 3.0 V FL-L
|
|
|
|
RMWV6416AGSA-5S2#AA0 |
RMWV6416AGS - 64Mb Advanced LPSR
|
|
|
|
RMLV0414EGSB-4S2#HA1 |
RMLV0414EGS - 4Mb Advanced LPSRA
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار: