W29N04GVSIAF TR
![کیفیت [#varpname#] کارخانه](/images/load_icon.gif){kind=icon}
سازنده:
Winbond Electronics
توضیحات:
4G-BIT SLC NAND FLASH، 3V، 4-BIT
دسته بندی:
حافظه
مشخصات
دسته بندی:
مدارهای یکپارچه (IC)
حافظه
حافظه
وضعیت محصول:
فعال
نوع نصب:
ارتفاع سطح
بسته بندی:
نوار و رول (TR)
سری:
-
DigiKey قابل برنامه ریزی:
تایید نشده
رابط حافظه:
ONFI
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:
25 ثانیه، 700 میکروثانیه
بسته دستگاه تامین کننده:
48-TSOP
نوع حافظه:
غیر فرار
مفر:
Winbond Electronics
اندازه حافظه:
4 گیگابیت
ولتاژ - عرضه:
2.7V ~ 3.6V
بسته بندی / کیس:
48-TFSOP (0.724 اینچ عرض 18.40 میلی متر)
سازمان حافظه:
512 متر در 8
دمای کار:
-40°C ~ 85°C (TA)
تکنولوژی:
FLASH - NAND (SLC)
زمان دسترسی:
25 ns
فرمت حافظه:
فلاش
مقدمه
فلاش - NAND (SLC) حافظه IC 4Gbit ONFI 25 ns 48-TSOP
محصولات مرتبط
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار: