W979H2KBVX1I TR
![کیفیت [#varpname#] کارخانه](/images/load_icon.gif){kind=icon}
سازنده:
Winbond Electronics
توضیحات:
آی سی DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
دسته بندی:
حافظه
مشخصات
دسته بندی:
مدارهای یکپارچه (IC)
حافظه
حافظه
اندازه حافظه:
512 مگابیت
وضعیت محصول:
برای طرح های جدید نیست
نوع نصب:
ارتفاع سطح
بسته بندی:
نوار و رول (TR)
سری:
-
DigiKey قابل برنامه ریزی:
تایید نشده
رابط حافظه:
HSUL_12
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:
15 ثانیه
بسته دستگاه تامین کننده:
134-VFBGA (10x11.5)
نوع حافظه:
فرار
مفر:
Winbond Electronics
فرکانس ساعت:
533 مگاهرتز
ولتاژ - عرضه:
1.14 ولت ~ 1.3 ولت، 1.7 ولت ~ 1.95 ولت
بسته بندی / کیس:
134-VFBGA
سازمان حافظه:
16 متر در 32
دمای کار:
-40 درجه سانتی گراد ~ 85 درجه سانتی گراد (TC)
تکنولوژی:
SDRAM - موبایل LPDDR2-S4B
شماره محصول پایه:
W979H2
فرمت حافظه:
DRAM
مقدمه
SDRAM - حافظه موبایل LPDDR2-S4B IC 512Mbit HSUL_12 533 MHz 134-VFBGA (10x11.5)
محصولات مرتبط
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
W979H6KBVX2I TR
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W979H6KBVX2I TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار: