W979H6KBVX2I TR
![کیفیت [#varpname#] کارخانه](/images/load_icon.gif){kind=icon}
سازنده:
Winbond Electronics
توضیحات:
آی سی DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
دسته بندی:
حافظه
مشخصات
دسته بندی:
مدارهای یکپارچه (IC)
حافظه
حافظه
اندازه حافظه:
512 مگابیت
وضعیت محصول:
برای طرح های جدید نیست
نوع نصب:
ارتفاع سطح
بسته بندی:
نوار و رول (TR)
سری:
-
DigiKey قابل برنامه ریزی:
تایید نشده
رابط حافظه:
موازی
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:
15 ثانیه
بسته دستگاه تامین کننده:
134-VFBGA (10x11.5)
نوع حافظه:
فرار
مفر:
Winbond Electronics
فرکانس ساعت:
۴۰۰ مگاهرتز
ولتاژ - عرضه:
1.14V ~ 1.95V
بسته بندی / کیس:
134-VFBGA
سازمان حافظه:
32 متر در 16
دمای کار:
-40°C ~ 85°C (TA)
تکنولوژی:
SDRAM - موبایل LPDDR2
شماره محصول پایه:
W979H6
فرمت حافظه:
DRAM
مقدمه
SDRAM - حافظه موبایل LPDDR2 IC 512Mbit Parallel 400 MHz 134-VFBGA (10x11.5)
محصولات مرتبط
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار: